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R$107,99
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| Peso | 350 g |
|---|---|
| Dimensões | 150 × 150 × 150 mm |
FUJI-2DI-100Z-100-100A-1000V-8905
O módulo 2DI100Z-100 da Fuji Electric é um dispositivo semicondutor de potência projetado para o controle de cargas elevadas em sistemas industriais, utilizando a configuração Darlington para amplificação eficiente de corrente. Com capacidade nominal para 100 A e tensão máxima de operação de 1000 V, este módulo oferece alta confiabilidade e robustez em ambientes exigentes.
O módulo possui dois transistores bipolares em cascata configurados em Darlington, o que resulta em um ganho de corrente elevado. Essa configuração permite que sinais de baixa corrente na entrada acionem cargas muito maiores, facilitando o design dos circuitos de controle e reduzindo a necessidade de componentes auxiliares para acionamento.
Seu encapsulamento robusto com base isolada garante isolamento galvânico entre a parte semicondutora e o dissipador térmico, permitindo fixação direta em dissipadores metálicos para excelente gerenciamento térmico. A base metálica isolada também contribui para a segurança elétrica do sistema.
A corrente aplicada à base do primeiro transistor é amplificada e utilizada para acionar o segundo transistor, resultando em uma amplificação global da corrente muito alta. Isso possibilita que correntes de controle muito pequenas comandem correntes de carga elevadas, o que é essencial para acionamentos industriais de alta potência.
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