Módulo IGBT FUJI 6MBI50J-120A

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O produto é usado/semi-novo, pode conter marcas de uso, arranhões, pequenos amassados entre outras pequenas avarias.
Todos são testados antes do envio para garantia de funcionamento.

O módulo 6MBI50J-120A da Fuji Electric é um componente de alta performance desenvolvido para o controle eficiente e confiável de energia em sistemas industriais e comerciais. Projetado com tecnologia avançada IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), este módulo oferece excelente combinação entre velocidade de chaveamento, baixa dissipação térmica e alta capacidade de corrente, sendo ideal para aplicações que exigem alta eficiência e robustez.

Os transistores IGBT integrados neste módulo combinam a facilidade de controle de um transistor MOSFET com a alta capacidade de corrente e baixa perda de saturação de um transistor bipolar, o que resulta em uma solução de chaveamento altamente eficiente. A configuração em meia-ponte (half-bridge) integra dois IGBTs e seus respectivos diodos rápidos, permitindo controle bidirecional da corrente e recuperação rápida, essencial em conversores de frequência e inversores.

O módulo possui encapsulamento com base metálica isolada (DBC – Direct Bonded Copper), que proporciona excelente dissipação de calor e isolamento elétrico. Isso permite que o módulo seja fixado diretamente a dissipadores, facilitando o projeto térmico e aumentando a confiabilidade da operação em ambientes industriais agressivos.

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