Imagem ilustrativa
SMR TR BC857B
Transistor bipolar de junção (BJT) tipo PNP em encapsulamento SOT-23 para montagem superficial. O BC857B apresenta ganho de corrente (hFE) típico entre 200 e 450, sendo ideal para aplicações de chaveamento e amplificação de sinais de baixa potência. Suporta corrente máxima de coletor de -100 mA e tensão coletor-emissor de até -45V. Com sua construção compacta e baixo consumo, é amplamente utilizado em circuitos de controle, drivers de sinal, interfaces lógicas e dispositivos portáteis. A versão “B” indica uma faixa intermediária de ganho, equilibrando sensibilidade e estabilidade em projetos eletrônicos.
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