SMD TR FDS6930B – Unidade

Imagem ilustrativa

SMD TR FDS 6930B

Transistor MOSFET canal P de potência dupla (dual P-channel) em encapsulamento SO-8 para montagem superficial. O FDS6930B é projetado para aplicações de comutação e controle de carga, apresentando baixa resistência de condução (R_DS(on)) e alta capacidade de corrente, o que garante eficiência energética e redução de perdas. Ideal para circuitos de proteção, drivers de motor, reguladores DC-DC e fontes de alimentação. Sua estrutura dual facilita projetos compactos com maior densidade funcional, sendo amplamente utilizado em equipamentos eletrônicos, automotivos e industriais.

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