| Peso | 200 g |
|---|---|
| Dimensões | 150 × 150 × 150 mm |
TOSHIBA-MG15GIAL3-BCE-6L
O MG15GIAL3 é um módulo IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) fabricado pela Toshiba, projetado para aplicações industriais que requerem comutação rápida, alta eficiência e controle de potência robusto. Este módulo integra transistores IGBT de alta performance, ideais para sistemas que operam em altas frequências e tensões.
O módulo utiliza a tecnologia IGBT, que combina a facilidade de controle dos transistores MOSFET com a capacidade de condução e resistência do transistor bipolar. Isso permite alta eficiência em comutação e menor perda de energia, além de operar em frequências elevadas. Inclui diodos rápidos integrados, essenciais para aplicações que envolvem comutação de cargas indutivas, proporcionando recirculação segura da corrente e proteção do dispositivo.
Sua construção compacta e base isolada facilita a montagem em dissipadores térmicos, garantindo um controle eficiente da temperatura durante a operação.
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