Módulo IGBT Toshiba MG25Q2YS40

Imagens reais do produto

TOSHIBA-MG25Q2YS40-8F

O produto é usado/semi-novo, pode conter marcas de uso, arranhões, pequenos amassados entre outras pequenas avarias.
Todos são testados antes do envio para garantia de funcionamento.

O MG25Q2YS40 é um módulo IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) desenvolvido pela Toshiba, ideal para aplicações de controle de potência, como inversores de frequência, fontes chaveadas e sistemas de automação industrial. Com capacidade de conduzir corrente contínua de até 25 A e suportar tensões de até 1200 V, esse módulo é indicado para aplicações que exigem confiabilidade, eficiência de comutação e robustez térmica.

A configuração interna do MG25Q2YS40 é do tipo meia ponte (half-bridge), com tecnologia de isolamento e proteção integrada. O encapsulamento é compacto, facilitando a montagem em placas e sistemas de dissipação. A tensão de controle de gate é de ±20 V, permitindo boa margem de operação segura.

As dimensões aproximadas do módulo são 74 mm de comprimento, 34 mm de largura e 12 mm de altura, com peso estimado em cerca de 100 g. O módulo opera em temperaturas que variam de -40°C a +150°C e deve ser armazenado em ambientes secos, limpos e com proteção contra descargas eletrostáticas.

Para garantir o desempenho térmico ideal, é recomendado o uso de dissipador de calor adequado e aplicação de pasta térmica entre o módulo e a base metálica. O produto é fornecido em embalagem individual com proteção antieletrostática (ESD safe), garantindo integridade durante o transporte e manuseio.

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