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| Peso | 350 g |
|---|---|
| Dimensões | 150 × 150 × 150 mm |
TOSHIBA-MG50J1BS11-4K
O Módulo IGBT MG50J1BS11 da Toshiba é um componente eletrônico de potência projetado para aplicações industriais que requerem controle eficiente e confiável de altas correntes e tensões. Este módulo integra um transistor IGBT e um diodo de roda livre antiparalelo, proporcionando alta velocidade de comutação e baixas perdas durante a operação.
Este módulo possui um transistor IGBT que combina as características de controle fácil de um transistor MOSFET com a capacidade de condução de corrente elevada de um transistor bipolar. O diodo antiparalelo integrado oferece proteção contra correntes reversas durante a comutação, melhorando a confiabilidade do sistema.
A base metálica isolada facilita a dissipação térmica eficiente, mantendo o módulo em temperaturas operacionais seguras mesmo sob cargas elevadas.
Para mais informações, entre em contato conosco!
