Módulo Toshiba MG50M1BK1

Imagens reais do produto

TOSHIBA-MG50M1BK1-8C

O produto é usado/semi-novo, pode conter marcas de uso, arranhões, pequenos amassados entre outras pequenas avarias.
Todos são testados antes do envio para garantia de funcionamento.

O MG50M1BK1 é um módulo transistor IGBT de alta potência fabricado pela Toshiba, projetado para aplicações industriais que exigem alta eficiência, rápida comutação e controle robusto de potência. Este módulo combina IGBTs e diodos rápidos integrados, tornando-o ideal para conversores, inversores e sistemas de acionamento de motores.

O módulo MG50M1BK1 utiliza tecnologia IGBT avançada, que combina a alta eficiência de um MOSFET com a capacidade de condução de um transistor bipolar, proporcionando rápida comutação e baixa perda de potência. Os diodos rápidos integrados permitem recirculação de corrente em cargas indutivas, protegendo o sistema contra picos de tensão.

Sua construção com base metálica isolada facilita a montagem em dissipadores térmicos, garantindo controle térmico eficaz mesmo sob condições severas de operação.

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