Módulo IGBT Toshiba MG50N2YS1

Imagens reais do produto

TOSHIBA-MG50N2YS1 2D (x2)

O produto é usado/semi-novo, pode conter marcas de uso, arranhões, pequenos amassados entre outras pequenas avarias.
Todos são testados antes do envio para garantia de funcionamento.

O MG50N2YS1 é um módulo IGBT de média potência fabricado pela Toshiba, indicado para aplicações como controle de motores, inversores de frequência, fontes chaveadas e outros sistemas industriais que demandam confiabilidade e eficiência na comutação. Com capacidade de suportar corrente contínua de até 50 A e tensão máxima de 1200 V, este módulo oferece bom desempenho em aplicações industriais variadas.

O módulo possui configuração half-bridge (meia ponte), integrando dois IGBTs e dois diodos de roda livre (freewheeling), facilitando a montagem de circuitos de conversão de energia. A tensão de gate recomendada é de ±15 V, proporcionando operação segura e estável mesmo em ambientes sujeitos a ruído elétrico.

As dimensões aproximadas do MG50N2YS1 são 74 mm de comprimento, 34 mm de largura e 12 mm de altura, com peso estimado em cerca de 150 g. Ele opera numa faixa de temperatura que vai de -40°C a +150°C, devendo ser armazenado em local seco, limpo e protegido contra descargas eletrostáticas.

Para garantir o melhor desempenho térmico, é recomendado instalar o módulo com dissipador de calor adequado e utilizar pasta térmica entre a base metálica e o dissipador. O MG50N2YS1 é fornecido em embalagem individual antieletrostática (ESD safe), assegurando integridade durante transporte e manuseio.

Para mais informações, entre em contato conosco!