| Peso | 350 g |
|---|---|
| Dimensões | 150 × 150 × 150 mm |
TOSHIBA-MG75Q2YS44-5B
O TOSHIBA MG75Q2YS44 é um módulo IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) de potência, projetado para aplicações industriais que requerem comutação eficiente, controle de corrente elevada e alta confiabilidade operacional. Com corrente nominal de 75 A e tensão de bloqueio de 1200 V, este módulo é amplamente utilizado em sistemas de inversores, drives de motores, UPS, fontes chaveadas e outras aplicações de potência.
O módulo MG75Q2YS44 possui dois IGBTs em uma configuração half-bridge (meia ponte) com diodos de roda livre integrados, o que o torna ideal para circuitos de comutação de alta frequência e inversores de dois níveis. A tecnologia IGBT combina a eficiência de chaveamento de um MOSFET com a capacidade de condução de corrente de um transistor bipolar.
Seu encapsulamento robusto com base metálica isolada permite montagem direta em dissipadores, assegurando excelente gerenciamento térmico e segurança elétrica.
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