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O produto é usado/semi-novo, pode conter marcas de uso, arranhões, pequenos amassados entre outras pequenas avarias.
Todos são testados antes do envio para garantia de funcionamento.
R$179,00
1 em estoque
| Peso | 300 g |
|---|---|
| Dimensões | 150 × 150 × 150 mm |
TOSHIBA-MG8N6ES42-3K
O MG8N6ES42 é um módulo IGBT de média potência desenvolvido pela Toshiba, indicado para aplicações em controle de motores, fontes chaveadas, conversores industriais e outros sistemas de comutação de energia. Com capacidade de suportar corrente contínua de até 8 A e tensão de até 600 V, esse módulo oferece boa eficiência e confiabilidade em aplicações compactas e de menor demanda de potência.
A configuração interna do módulo é do tipo half-bridge (meia ponte), integrando dois IGBTs e dois diodos de roda livre (freewheeling), facilitando sua aplicação em topologias de conversores e inversores. A tensão de gate recomendada é de ±15 V, permitindo controle preciso da comutação em ambientes industriais.
O encapsulamento é compacto, com dimensões aproximadas de 50 mm de comprimento, 30 mm de largura e 12 mm de altura, e peso estimado de cerca de 80 g. A faixa de temperatura operacional varia de -40°C a +150°C. O módulo deve ser armazenado em ambiente seco, limpo e protegido contra eletricidade estática, evitando variações bruscas de temperatura e umidade.
Para garantir o desempenho térmico ideal, recomenda-se a instalação com dissipador de calor compatível e uso de pasta térmica entre a base metálica e o dissipador. O produto é fornecido em embalagem individual com proteção antieletrostática (ESD safe), assegurando segurança durante transporte e manuseio.
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